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注目ベンチャー紹介：Vertical Semicondutor
Written by Hiroshi Tanaka
今回の注目ベンチャーの紹介はVertical Semicondutorです。
Vertical Semicondutorは、データセンター向けに高密度・高効率を実現するスケーラブルな垂直型窒化ガリウム（GaN）パワースイッチを開発。800V等の高電圧対応と熱抵抗の低減を両立させ、AIデータセンターの省スペース化とコスト削減を実現します。
Vertical Semiconductor
サービス／プロダクト概要
データセンター向けに高密度・高効率を実現するスケーラブルな垂直型窒化ガリウム（GaN）パワースイッチを開発。800V等の高電圧対応と熱抵抗の低減を両立させ、AIデータセンターの省スペース化とコスト削減を実現。
特徴／提供価値
・独自の垂直型構造（VerticalGaN）を採用することで、従来の横型GaNデバイスでは技術的に困難であった800V以上の高電圧へのスケールを実現する。
・熱抵抗を低減させる独自の設計により、極めて高い電力密度での実装が可能となり、AIデータセンターにおける電源ユニットの小型化と高効率化に貢献。
・GaN研究の権威であるMIT Palacios教授の研究室からコアデバイス構造の独占ライセンスを保有し、ウェハスケールでの高度な製造ノウハウを蓄積している。
・既存のSiCパワーデバイスと比較して、より高い変換効率とコンパクトな製造プロセスを両立しており、システム全体の総所有コスト（TCO）を大幅に削減する。
・次世代AIデータセンターの800VDC電源アーキテクチャに特化することで、従来の半導体技術では解決できなかった「高電圧×高密度」というシビアな市場要求を解決。
ビジネスモデル
・データセンター向けに自社設計したパッケージ済みの「ディスクリート・パワースイッチ」の販売。将来的にはゲートドライバーIC等のカスタム設計を含む周辺ソリューションを展開。。
市場動向・なぜこの会社なのか？
・AIデータセンターの電力消費急増に伴い、次世代の800VDC電源システムに対応可能な高電圧・高密度半導体への需要が爆発的に高まっている。
・世界的なGaN研究拠点であるMITPalacios研究室からのスピンアウトであり、他社が模倣困難な独自の知的財産と垂直型構造の技術的優位性を確立している。
・信越化学等の有力な戦略投資家からの支援を受けており、特に日本企業との強力な製造・サプライチェーン連携の土台を有している。
・現在はプロトタイプ段階だが、2026年内のサンプル出荷と商業ファブへのプロセス移管という商用化の重要なマイルストーンに到達しつつある。
・LSI設計やパッケージングにおいて外部パートナー（ターンキーサービス）の活用を模索しており、技術的シナジーを生み出す事業提携の好機である。
顧客・競合・パートナー
・Customers: AIData Center Providers / Power System Providers
・Competitors:Navitas Semiconductor / Monolithic Power Systems / GaN Systems
・Partners:Shin-Etsu Chemical / MIT.nano / Northeast Microelectronics Coalition