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注目ベンチャー紹介：Inversion Semiconductor
Written by Hiroshi Tanaka
今回の注目ベンチャーの紹介はInversion Semiconductorです。
Inversion Semiconductorは、粒子加速器の小型化技術を開発。2nm半導体チップの製造で使用されるEUV露光機への適用を目指します。
Inversion Semiconductor
https://www.inversionsemi.com/
サービス／プロダクト概要
- FEL(自由電子レーザ)+LWFA(粒子加速器)によるEUV光源を開発。
- 2nm半導体チップの製造で使用されるEUV露光機への適用を目指す。
特徴／提供価値
・粒子加速器の小型化による13.5nmおよび6.7nm半導体チップ製造用の次世代EUV光源を開発。既存ファブスペースに収まることから、露光装置への統合を可能にする。
・自由電子レーザー(FEL)ベース光源により高出力かつ狭帯域で偏光可能な光を生成可能。高NAリソグラフィにも対応しやすい構成。
・CERNやARM出身チームが加速器の安定制御に機械学習を活用することで、短期間で試作および実証を進める計画。
・半導体露光マーケットで収益化する前に、X線CTや放射線試験サービスの提供を検討。Relativity社とLOI(Letter of Intent)を締結。早期収益化と実証データ獲得を進行。
・光学系・マスク・レジストで既存EUVサプライチェーンと連携。量産移行へ向けた基盤を整備中。
ビジネスモデル
・EUV露光装置販売(2030年〜)。
・初期の収益化のため、同技術を使用したX線非破壊検査、放射性試験のサービス提供。
市場動向・なぜこの会社なのか？
・EUV露光の高出力・短波長化が進む中、既存方式では装置が大型化・高コスト化している。代替アーキテクチャの模索が業界全体で進行中。
・地政学的リスクと半導体供給網の再編により、米国内での露光装置技術の確立が喫緊の課題となっている。
・AIやHPC向けチップの微細化要求により、13.5nm以降の次世代露光技術への移行が必要不可欠。
・2nm世代の微細加工に対応した先端半導体露光装置製造においてASMLが一強状態にある。技術的・空間的に統合しやすい競合が求められており、FEL光源はその有力候補。
・初期市場として注目される宇宙・防衛分野では、高出力X線による高分解能検査ニーズが急増している。
顧客・競合・パートナー
•顧客：大手ﾌｧﾝﾄﾞﾘｰ(TSML, Intel,Sam Sung) 露光機ﾒｰｶｰ(Nikon, Canon)
•競合：xLight, Substrate,ASML
•ﾊﾟｰﾄﾅｰ：LawrenceBerkeley National Lab, CXRO